盛夏已過，初秋開場

11月的高溫環境依舊會如期不散過日子也難免會了被紛繁的運轉轉生

髙壓大熱效率(6500V/3000A)IGBT各種測試難？伴漸漸工作實際需求急、工作任務重、的標準高工作師們有壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

鑒于SiC與Si的特點的不同于，SiC MOSFET的閥值電流值都具有不動態平衡相關性，在集成電路芯片測式全過程中閥值電流值出現顯著的漂移，誘發其電機械性能測式還有溫度過高柵偏沖擊試驗后的電測式結果嚴重信任于測式必備條件。因閥值電流值的精確測式，現行標準安全性測式方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻值 RDSon為關系器材業務時導通消耗的資金的一必要的特點性能，其均值會隨 VGS 與T的變而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護區能夠將額定電壓和直流電制約在SOA區域中，以免功率器件受損或炸管。

試驗狀況：800V 恒壓 10μA 限流

軟件測試的條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）交流電驗測電路系統將增長導通電壓降測定精確度；? SOCKET與PIN接觸熱敏內阻、測試軟件引線導通熱敏內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，功率波形圖自由振蕩；? 線路圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 各種類型同軸低壓電纜的等效電感與DUT串聯，SMU測式時下降及及安全時候長；? 三同軸拖鏈電纜等效電感可以說為0。

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